Методики
| Методики |
|
Широкие функциональные возможности РЦЗМкп позволяют проводить измерения с использованием большого числа методов и методик, в том числе следующих: 1. Методика выполнения измерений вольт-фарадных характеристик полупроводниковых микро- и наноструктур 2. Методика выполнения измерений вольт-амперных характеристик полупроводниковых и диэлектрических микро- и наноструктур 3. Методика выполнения измерений энергии ионизации дефектов с глубокими уровнями в полупроводниковых барьерных микро- и наноструктурах 4. Методика измерения рельефа поверхности при сканировании образца зондом, находящимся с ним в непосредственном контакте, при этом система обратной связи разомкнута и z-координата сканера поддерживается постоянной с помощью метода постоянной высоты (Constant Height mode) 5. Методика отображения сигнала рассогласования на входе системы обратной связи в процессе реализации метода постоянной силы,подчеркивание малоразмерных деталей рельефа поверхности посредством контактного метода рассогласования (Contact Error mode) 6. Методика отображения распределения локальной силы трения по поверхности образца с помощью микроскопии латеральных сил (Lateral Force Microscopy) 7. Методика отображения распределения локальной упругости по поверхности образца с помощью метода модуляции силы (Force Modulation mode) 8. Методика отображения распределения локальной проводимости образца с помощью метода сопротивления растекания. (Spreading Resistance Imaging) 9. Методика отображения распределения электрического потенциала по поверхности образца с повышенным разрешением с помощью контактной электростатической силовой микроскопии (ЭСМ) (Contact EFM) 10. Методика измерения рельефа поверхности с использованием колеблющегося с резонансной частотой зонда прерывисто-контактным методом 11. Методика отображения особенностей рельефа, поверхностной адгезии и вязкоупругости, определяющих фазовую задержку колебаний зонда с помощью метода отображения фазы (Phase Imaging mode) 12. Методика измерения рельефа поверхности с использованием колеблющегося с резонансной частотой зонда бесконтактным методом ACM (Non-Contact mode) 13. Методика отображения распределения магнитной структуры поверхности, связанной с локальными различиями распределения первой производной магнитного поля с помощью магнитно-силовой микроскопии (С МСМ) (DC Magnetic Force Microscopy, DC MFM) 14. Методика отображения распределения электрического потенциала по поверхности образца с помощью электростатической силовой микроскопии (ЭСМ) (Electrostatic Force Microscopy, EFM) 15. Методика измерения распределения электрического потенциала по поверхности образца методом зонда Кельвина (Kelvin Probe Microscopy) 16. Методика отображения распределения локальной поверхностной электрической емкости в системе проводящий образец - проводящее острие с помощью сканирующей емкостной микроскопии (СЕМ) (Scanning Capacitance Microscopy, SCM) 17. Методика измерения концентрации, подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалах с помощью эффекта Холла 18. Методика определения параметров дефектов с глубокими уровнями в запрещенной зоне полупроводников и полупроводниковых наногетероструктур методом токовой DLTS (CDLTS) 19. Методика элементного анализа материалов и покрытий методом магнитной масс-cпектрометрии 20. Методика элементного анализа материалов и покрытий методом масс-спектрометрии вторичных ионов 21. Методика элементного анализа материалов и покрытий методом квадрупольной масс-cпектрометрии 22. Методика получения изображения поверхности в отраженных электронах с помощью растровой электронной микроскопии 23. Методика получения изображения поверхности во вторичных электронах с помощью растровой электронной микроскопии 24. Методика получения изображения поверхности характеристическим рентгеном с помощью растровой электронной микроскопии 25. Методика измерения рельефа поверхности при сканировании образца проводящим зондом с помощью метода постоянного тока (Constant Current mode) 26. Методика измерения рельефа поверхности при сканировании образца проводящим зондом с помощью метода постоянной высоты (Constant Height mode) 27. Методика определение локальной плотности зарядовых состояний и их энергетического распределения в полупроводниковых тонкопленочных микро- и наноструктурах 28. Метод исследования распределения микро- и нанокристаллических включений, легирующих и неконтролируемых примесей в мульти- и нанокристаллическом кремнии, химического и структурного состава включений 29. Метод исследования электрически и оптически активных дефектов, создающих глубокие уровни в запрещенной зоне (щели подвижности) в солнечных элементах 30. Метод исследования распределения электрических полей по активным областям солнечных элементов (СЭ) |