Региональный центр зондовой микроскопии коллективного пользования

Мероприятие объединило около 300 лучших электронщиков, физиков и математиков со всей страны, а также государств СНГ и зарубежья. Прозвучало около 100 научных докладов, еще около ста были допущены для публикования в научном сборнике конференции. Был затронут широкий спектр проблем развития микро- наноэлектроники, физических и химических свойств материалов, применяемых в электронике и приборостроении.

Сотрудниками РЦЗМкп были представлены доклады:

1) Баскаков Н.А., Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Мишустин В.Г. Комплексный подход при исследовании многослойных структур микро- и наноэлектроники.

2) Ермачихин А.В., Трегулов В.В., Мишустин В.Г., Трусов Е.П., Рыбин Н.Б., Литвинов В.Г. Исследование полупроводниковых структур por-Si/p-Si методами измерения температурных ВАХ и РСГУ.

3) Логинов Д.С., Баскакова А.В., Зинуков А.А., Литвинов В.Г., Холомина Т.А., Мишустин В.Г. Исследование влияния многократной коммутации на параметры НЧ-шума магнитоуправляемых контактов.

4) Толкач Н.М., Вишняков Н.В., Якубов А.О., Трофимов Е.С., Шерченков А.А. Уменьшение потерь излучения на длине волны 1550 нм в многослойных структурах, содержащих слой на основе материала системы Ge-Sb-Te.

Сборник с материалами конференции расположен по ссылке.