| Основные публикации |
|
Монографии: 1. Вихров С.П., Холомина Т.А., Бегун П.И., Афонин П.Н. Биомедицинское материаловедение/ М.: Горячая линия. Телеком., 2005. 386 с. Зарубежные публикации: 1. VikhrovS.P.,VishnyakovN.V., MishustinV.G., PopovA.A. Speciality of Poisson Equation Solution and Calculation of Barrier Profile on the Interface to Non-Cryst. Semiconductor// J. of Optoel. and Advan. Materials. Vol. 5 No. 5, 2003. P.1249-1254 2. Bodyagin N., Vikhrov S., Mursalov S., Larina T. Diagnostics of the Structure and Amorphous Materials Growth Process by Nonlinear Dynamics Method// J. of Optoelectronics and Advanced Materials. Vol. 5 No. 5, 2003. P. 1293-1298 3. Sadofyev Yu.G., Johnson S.R., Chaparro S.A., Franzreb K., Zhang Y.-H.. Sb-mediated growth of Si-doped AlGaAs by molecular-beam epitaxy. Applied Physics Letters, V.84, 3546-3548 (2004) 4. Kozlovsky V.I., Litvinov V.G., Sadofyev Yu.G.. E-beam irradiation effect on CdSe/ZnSe QD formation by MBE: deep level transient spectroscopy and cathodoluminescence. Journal of Physics: Condensed Materials, V.16, S133-S140 (2004) и др. Статьи в российских изданиях: 1. Литвинов В.Г., Козловский В.И., Садофьев Ю.Г. Разрывы зон в квантоворазмерных структурах AlGaAs/InGaAsSb/AlGaAs// Конденсированные среды и межфазные границы. 2003. Т. 5. № 1. C. 6-10 2. Вишняков Н.В. Экспериментальное определение высоты потенциального барьера в структурах металл - гидрогенизированный аморфный кремний// Вестник РГРТА. Рязань, 2003. № 1. С. 98-100 3. Валах М.Я., Стрельчук В.В., Семенова Г.Н., Садофьев Ю.Г.. Резонансное стоксовое и антистоксовое комбинационное рассеяние в наноструктурах CdSe/ZnSe// Физика твердого тела. 2004. т. 46, вып.1. С. 174-176 4. Н.В. Вишняков, С.П. Вихров, В.Г. Мишустин, А.П. Авачев, И.Г. Уточкин, А.А. Попов. Формирование потенциальных барьеров в нелегированных неупорядоченных полупроводниках. ФТП, 2005, том 39, №10. 5. Природа невоспроизводимости структуры и свойств материалов для микро - и наноэлектроники: Учеб. пособие/ Н.В. Бодягин, С.П. Вихров, Т.Г. Ларина, С.М. Мурсалов, В.Н. Тимофеев. РГРТА. Рязань, 2004. 64 с. и др. Доклады: 1. Sadofiev U.G., Kozlovsky V.I., Litvinov V.G. E-beam irradiation effect on CdSe/ZnSe QD formation by MBE: deep level transient spectroscopy and cathodoluminescence studies// Proc. of 7th Int. Workshop on BIAMS, - Lille, France, May 25-29, 2003. P.643 2. Bodyagin N., Vikhrov S., Mursalov S., Larina T. Diagnostics of the Structure and Amorphous Materials Growth Process by Nonlinear Dynamics Method// Roman. Conf. of Advan. Mat.: ROCAM - 2003: Abst. of the Fourth Intern. Ed. Constantia, 2003. P. 213 3. Vikhrov S.P., Vishnyakov N.V., Mishustin V.G. Speciality of Poisson Equation Solution for Non-Crystalline Semiconductors// Romanian Conference of Advanced Materials: ROCAM - 2003: Abstract of the Fourth Intern. Ed.. Romania. Constantia, 2003. P. 231 4. Sadofyev Yu.G., Ramamoorthy A., Bird J. P., Johnson S.R, Zhang Y.-H. Beatings in Shubnikov-de Haas oscillations induced by IR illumination of MBE grown InAs/AlSb QW// Abstracts of MBE 2004 International Conference, Edinburgh, UK, August 22-26 (2004), P.319-320 5. Johnson S. R., Cao Y., Sadofyev Yu. G., Ding D., Wang J.-B., Zhang Y.-H.. Surfactant-mediated molecular-beam-epitaxy growth for device applications. Abstracts of 22th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy. Banff, Canada, October 4-8 (2004), P. 174-175 6. Ikonnikov A.V., Gavrilenko V.I., Sadofyev Yu.G., Bird J.P., Jonhson S.R., Zhang Y.-H. Cyclotron resonance study of doped and undoped InAs/AlSb QW heterostructures// Proc. 12th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Ioffe Institute, St.Petersburg, Russia, 2004, p.280-281 7. Utochkin I.G., Avachev A.P. The measurement of potential the surface of noncrystalline semiconductors film by atomicforce microscope \ Physics of Electronic Materials: 2-nd International Conference Proceeding, Kaluga, Russia, May 24-27, 2005. Vol.1, Pp. 124-125 и др.
1. Авачева Т.Г., Бодягин Н.В., Вихров С.П., Мурсалов С.М. Исследование самоорганизации неупорядоченных материалов с применением теории информации // Физика и техника полупроводников. Индекс №71034. 2008. Т. 42. Вып. 5. С. 513-518. 2. Litvinov V.G., Kozlovsky V.I., Sannikov D.A. Cathodoluminescence and Current DLTS of MOVPE-grown ZnCdS/ZnSSe SQW Structures // Journal of the Korean Physical Society, V.53, No.5, November 2008, P.2864-2866. 3. Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Иконников А.В., Криштопенко С.С., Садофьев Ю.Г., Спирин К.Е. Обменное усиление g-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb // Физика и техника полупроводников, Т. 42, Вып. 7, 2008. 4. L. Borkovska., N. Korsunska., Ye. Venger., I. Kazakov., T. Kryshtab., Yu G Sadofyev. Peculiarities of the thermal activation of carriers in CdSe/ZnSe QD structures // Journal of Materials Science: Materials in Electronics 20, S102-S106 (2009)/ (5pp). 5. M. V. Yakunin, Anne de Visser, Gianni Galistu, S M Podgornykh, Yu G Sadofyev, N. G. Shelushinina and G. I. Harus / Evolution of the spin-split quantum Hall states with magnetic field tilt in the InAs-based double quantum wells // Jornal of Physics – Conference Series 150, 022100 (4pp), 2009. 6. Гуров В.С., Вихров С.П., Суворов Д.В, Вишняков Н.В., Гостин А.М. Реализация дистанционного доступа к комплексу исследовательского нанотехнологического оборудования // Вестник РГРТУ, №3, вып. 9, 2009. 7. Иконников А.В., Антонов А.В., Ластовкин А.А., Гавриленко В.И., Садофьев Ю.Г., N. Samal Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона с высоким спектральным разрешением // // Физика и техника полупроводников, т. 44, вып. 11, 2010. 8. Митрофанов К.В., Авачев А.П., Климов Н.С. Особенности температурных зависимостей электрических характеристик структур Ge2Sb2Te5, измеренных с использованием методов атомно-силовой микроскопии // Вестник РГРТУ, №1, вып. 31, 2010. 9. V. Litvinov, V. Kozlovsky, D. Sannikov, D. Sviridov, O. Milovanova, N. Rybin. Local measurement of conduction band offset for ZnCdS/ZnSSe nanostructure by Laplace current DLTS cooperated with AFM technique // Phys. Status Solidi C 7, No. 6, 1536–1538 (2010). 10. Гавриленко В.И., Иконников А.В., Криштопенко С.С., Ластовкин А.А., Маремьянин К.В., Садофьев Ю.Г., Спирин К.Е. Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников, т. 44, вып. 5, 2010 |