Региональный центр зондовой микроскопии коллективного пользования

получили дальнейшее развитие теории формирования барьерных слоев и теория самоорганизации структуры в неупорядоченных полупроводниках;

разработан новый подход к построению технологических систем на примере роста слоев неупорядоченных полупроводников;

проведены исследования квантово-размерных структур в пленках полупроводниковых соединений А₂В₆ с целью создания высокоэффективных ультрафиолетовых излучателей;

на основании результатов исследований на АСМ/СТМ выработаны рекомендации по изменению технологического процесса формирования защитных проводящих покрытий металлических контактов герконовых реле;

исследованы просветляющие покрытия солнечных элементов на кристаллическом кремнии и определены возможные пути повышения коэффициента поглощения солнечного излучения за счет выбора состава и микроструктуры покрытия;

проведены исследования методами атомно-силовой микроскопии поверхности подложек зеркал для специальной лазерной техники для определения критериев качества обработки поверхности;

проводятся работы по модернизации имеющихся экспериментальных методик на основании полученных новых знаний об исследуемых объектах и предполагаемых объектах дальнейших исследований посредством разработки и макетирования новых узлов и блоков измерительных стендов и автоматизации эксперимента с применением современного программно-вычислительного оборудования.